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2024年全球第三代半導體材料市場競爭格局分析 市場競爭愈發激烈【組圖】

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20 盧敏 ? 2024-04-26 14:51:15  來源:前瞻產業研究院 E6655G0

行業主要上市公司:華潤微(688396);三安光電(600703);士蘭微(600460);斯達半導(603290);天岳先進(688234)等

本文核心數據:碳化硅、氮化鎵市場競爭格局

1、全球第三代半導體材料行業企業競爭格局

——碳化硅行業全球企業競爭格局

(1)襯底

根據Yole的數據,2022年全球碳化硅襯底市場中,美國Wolfspeed、美國II-VI和日本Rohm(收購德國SICrystal)三家企業合計占據全球約72%的市場份額。中國公司天科合達、天岳先進努力追趕,2022年導電型襯底合計實現營收1.04億美元,合計占比15%,同比+5pct。

圖表1:2022年全球碳化硅襯底市占率(單位:%)

(2)外延

高品質的碳化硅外延晶片生長受到外延生長過程中使用的CVD外延爐、襯底等上游設備及材料的影響。國際上已經商業化量產的SiC-CVD設備有意大利LPE、德國Axitron和日本NuFlare產品,這三家公司也占據了國內市場。

圖表2:國外碳化硅外延廠商產品/產能布局

——氮化鎵行業全球企業競爭格局

射頻元器件市場是氮化鎵的主要應用領域。從該市場的競爭情況來看,全球氮化鎵主要創新主體的龍頭主要集中于日本。氮化鎵產業國外重點企業包括日本住友、美國科銳、德國英飛凌、韓國LG、三星等,中國企業代表有,晶元光電、三安光電、臺積電華燦光電等,其中,GaN射頻器件襯底主要采用SiC襯底,而科銳擁有最強的實力,在射頻應用的GaNHEMT、尤其是GaN-on-SiC技術斱面,該公司處于領先地位,遠遠領先日系廠商住友電工和富士通;日本住友全球率先量產氮化鎵襯底,是全球氮化鎵射頻器件主要供應商,同時也是華為GaN射頻器件主要供應商之一。

圖表3:全球GaN射頻元器件市場企業競爭梯隊

2、全球第三代半導體材料行業區域競爭格局

——碳化硅行業全球區域競爭格局

從地區市場情況來看,亞太地區是最大的SiC地區市場。中國、日本、韓國和印度新能源汽車銷量的高速增長,使得亞太區域成為全球SiC的主導市場。從企業來看,美國、歐洲和日本企業為SiC整個行業的領先者,國內廠商具備加速替代趨勢。

圖表4:全球碳化硅(SiC)區域發展格局

——氮化鎵行業全球區域競爭格局

目前,全球氮化鎵產業主要集中在美國、日本、歐洲和中國等國家和地區。其中,美國在氮化鎵襯底材料和外延片生長技術方面處于領先地位,日本在氮化鎵器件設計和封裝測試方面具有較強實力,歐洲在氮化鎵應用領域的研究較為深入,而中國則在氮化鎵全產業鏈布局上取得了顯著進展。據大西洋調研公司數據,GaN方面,北美是最大的市場,2022年占比為37%左右;而亞太地區GaN增長最快,2022-2030年將保持約24.3%的復合年增長率。

圖表5:2022年全球氮化鎵(GaN)區域競爭格局

3、全球第三代半導體材料行業競爭趨勢分析

當前全球第三代半導體材料行業企業競爭趨勢主要為加速產能擴張、技術升級和產業鏈垂直整合,從區域競爭來看,在多國采取巨額投資吸引半導體產業回流的背景下,區域競爭逆全球化趨勢或將加劇。

圖表6:全球第三代半導體材料行業競爭趨勢分析

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2025-2030年中國第三代半導體材料行業發展前景預測與投資戰略規劃分析報告
2025-2030年中國第三代半導體材料行業發展前景預測與投資戰略規劃分析報告

本報告前瞻性、適時性地對第三代半導體材料行業的發展背景、供需情況、市場規模、競爭格局等行業現狀進行分析,并結合多年來第三代半導體材料行業發展軌跡及實踐經驗,對...

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