存儲芯片行業主要上市公司：中芯國際(688981)、兆易創新(603986)、紫光國微(002049)、普冉股份(688766)、聚辰股份(688123)、瀾起科技(688008)、北京君正(300223)等

本文核心觀點：隨著合肥長鑫DRAM制程技術水平和產能不斷提升，其市場份額在國際巨頭壟斷的格局下有望得到提升

全球DRAM市場被巨頭壟斷，我國僅合肥長鑫擁有DRAM自主生產能力

DRAM的核心是利用0和1存儲數據，屬于半導體存儲中的易失性存儲器。從全球格局來看，DRAM行業歷經多輪周期洗禮，目前僅以三星、SK海力士、美光三家巨頭為主，其他廠商包括中國臺灣的南亞科技、華邦電子等。2020年，全球DRAM市場中CR5份額合計達98.48%，相較于2019年的98.9%略有下滑，但仍然處于高度集中的狀態。

注：右餅圖中內圈為2019年市場份額，外圈為2020年市場份額。

當前我國專注于DRAM存儲芯片共有三家公司：紫光南京、福建晉華、合肥長鑫。其中，紫光南京產品線覆蓋標準SDR，DDR，DDR2，DDR3，DDR4和低功耗系列LPDDR2，LPDDR4，量產環節主要由力晶半導體完成，尚無自產能力。

福建晉華主要研發利基型DRAM技術，規劃第一階段做25nm 4GB DDR4/DDR3產品。但在2018年受到美國制裁，如今項目暫時處于停擺狀態。合肥長鑫主要生產移動型DRAM，目前已具備量產能力。2018年成功量產DDR4，2019年成功量產LPDDR4，是現在大陸唯一能夠自主生產DRAM的廠商。

長鑫DRAM處于17nm研發階段，技術水平不斷提升

從DRAM三巨頭及長鑫工藝尺寸發展歷程來看，全球前三大廠商——三星、SK海力士、美光在2016-2017年進入1Xnm(16nm-19nm)階段，2018-2019年為1Ynm(14nm-16nm)，2020年處于1Znm(12nm-14nm)時代。目前，10nm進入第四階段。三星已于2020年上半年完成首批1anm制程DRAM的出貨，2021年美光、SK海力士也開始量產第四代10納米級DRAM產品。目前我國DRAM行業最先進的長鑫正處于1Xnm階段，落后約4年時間。

2019年長鑫存儲完成了首顆國產19nm工藝的DDR4、LPDDR4內存研發量產，成為了全球第四家DRAM產品采用20nm以下工藝的廠商，計劃于2021年完成17nm的工藝研發，并展開DDR5 DRAM產品研發。在容量、速率、工藝尺寸方面不斷向全球領先DRAM廠商(三星等)靠近，國產DRAM芯片技術水平不斷提升。

合肥長鑫DRAM產能不斷提升，市占率有望得到進一步擴大

合肥長鑫DRAM產能在2019年達到2萬片/月，2020Q1已達4萬片/月，提前達到了產能預期，是我國DRAM存儲芯片自主制造里程碑式的進步。當前已經啟動8萬片/月的建設目標，預計在2021年完成一期三階段建設，產能預計達到12萬片/月。目標總共建設三期，每期產能為12萬片/月，全部建成后達到36萬片/月。從市占率來看，2020年DRAM市場中，合肥長鑫市場份額不足5%，隨著產能不斷提升，預計到2022年有望達到近3%。

以上數據參考前瞻產業研究院《中國存儲芯片行業市場需求與投資前景預測》，同時前瞻產業研究院還提供產業大數據、產業研究、產業鏈咨詢、產業圖譜、產業規劃、園區規劃、產業招商引資、IPO募投可研、招股說明書撰寫等解決方案。

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